更新时间:2026-01-30
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| 参数 | TM-UF |
|---|---|
| 纯度 | 99.99%(4N 级),低杂质 / 低放射性 |
| 晶体形态 | α- 氧化铝(刚玉相),晶体结构致密 |
| 一次粒径 | 0.09 μm(超细级别,优于同系列 TM-DA/TM-DAR) |
| 中位径 d50 | 0.14 μm(窄分布,粒径均匀性好) |
| BET 比表面积 | 17.0 m²/g(高比表面积,利于烧结与分散) |
| 杂质控制 | 钠 / 铁等关键杂质<1ppm,适配半导体 / 电子污染需求 |
| 烧结特性 | 低温烧结适配性好,易获得致密结构 |
| 包装 | 常规为 1kg / 包,支持定制化包装 |
超微超细粒径:一次粒径 0.09 μm,d50 0.14 μm,窄分布,适合纳米级材料混合与成型,提升产品致密度与性能均匀性。
4N 级高纯与低污染:严格控制杂质与放射性,适配半导体治具、电子陶瓷等对污染容忍的场景。
高比表面积与分散性:17.0 m²/g 比表面积,粉体分散性好,利于与其他材料复合,降低烧结温度与收缩率波动。
晶体结构稳定:α- 氧化铝相纯度高,化学稳定性与耐磨性优异,适合高温 / 高湿等严苛工况。
| 应用场景 | 核心价值 | 选型参考 |
|---|---|---|
| 电子 / 半导体 | 基板、封装材料、半导体治具 | 低放射性、高纯、尺寸稳定 |
| 精密陶瓷 | 电子陶瓷、结构陶瓷、耐磨部件 | 低温烧结、致密结构、高硬度 |
| 研磨 / 分散 | 纳米级材料研磨介质、浆料添加剂 | 超细粒径、高分散、低污染 |
| 催化 / 吸附 | 特种催化剂载体 | 高比表面积、化学稳定性 |
| 型号 | 一次粒径 | 中位径 d50 | BET 比表面积 | 核心差异 |
|---|---|---|---|---|
| TM-UF | 0.09 μm | 0.14 μm | 17.0 m²/g | 超精细粒径,高比表面积,适合超精密成型 |
| TM-DA | 0.12 μm | 0.17 μm | 12.5 m²/g | 平衡粒径与分散,适合常规精密陶瓷 |
| TM-DAR | 0.12 μm | 0.16 μm | 12.5 m²/g | 侧重低放射性,适配半导体场景 |
| TM-5D | 0.20 μm | 0.25 μm | 8.2 m²/g | 粒径稍大,适合对烧结效率要求高的场景 |
分散与成型:超细粒径易团聚,建议用酒精 / 丙酮 + 分散剂超声分散,成型压力适中避免密度不均。
烧结控制:高比表面积利于低温烧结(建议 1400–1500°C),升温速率 5–10°C/min,保温 2–4 小时,提升致密度。
杂质管理:4N 级纯度需匹配洁净车间与专用工具,避免二次污染。
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