产品简介

华南代理ULVAC爱发科 UNECS-2000A高精度光谱椭偏仪
华南代理ULVAC爱发科 高精度光谱椭偏仪

高速光谱椭偏仪是一种用于快速测量薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器

华南代理ULVAC爱发科 高精度光谱椭偏仪

华南代理ULVAC爱发科 高精度光谱椭偏仪

• 工作原理

• 利用偏振光在样品表面反射时偏振态的变化来获取样品的信息。当已知偏振态的线偏振光入射到样品表面时，其在薄膜与基底的界面处发生反射和折射，反射光的偏振态（幅度和相位）会发生改变。通过测量反射光的偏振态变化，通常用复函数 ρ 来表示，而 ρ 又可以用 ψ 和∆分别描述反射光 p 波与 s 波振幅衰减比和相位差，进而计算或拟合出材料的光学常数、膜层厚度等参数。

• 主要特点

• 测量速度快：能够在短时间内完成大量测量点的数据采集，如 ULVAC 的 UNE CS 系列最快可在 20ms 内完成一次测量，HORIBA 的 UVISEL 相位调制型光谱椭偏仪 50ms 即可获得数据，大大提高了测量效率，适用于在线监测和快速过程控制。

• 测量精度高：可以精确测量薄膜厚度、折射率、消光系数等参数，厚度测量的重复性可低至 0.1nm，能够满足各种高精度测量需求。

  非接触式测量：对样品没有破坏，也不需要真空环境，不会对被测样品造成损伤，适用于各种易损或敏感材料的测量。

• 光谱范围宽：覆盖从紫外到红外的多个波段，如 M-2000 系列光谱范围可从 193nm 延伸到 1690nm，不同的光谱范围可以提供关于材料不同的信息，有助于对各种材料进行全面的分析。

• 多种测量模式：具备多种测量模式和功能，如自动聚焦、自动变角、多点 Mapping 测量等，可根据不同的测量需求进行灵活配置。

• 应用领域

• 半导体行业：用于半导体材料的薄膜厚度监测、光刻胶厚度测量、半导体器件制造过程中的工艺控制等，如监测硅片上氧化层、氮化层、光刻胶等薄膜的厚度和光学性质，以确保半导体器件的性能和质量。

• 光学镀膜：对各种光学薄膜，如增透膜、高反膜、滤光膜等的厚度和折射率进行精确测量和控制，以实现光学元件的最佳光学性能。

• 光伏领域：在太阳能电池的研发和生产中，用于测量光伏材料的薄膜厚度和光学特性，如非晶硅、多晶硅、碲化镉、铜铟镓硒等薄膜材料，有助于优化电池结构，提高电池的光电转换效率。

• 显示行业：用于液晶显示器、有机发光二极管显示器等显示器件中薄膜材料的测量和质量控制，如测量液晶层、有机发光层、透明导电电极等薄膜的厚度和光学常数，确保显示器件的显示效果和性能。

• 材料研究：在新材料的研发过程中，用于研究材料的光学性质、薄膜生长过程、材料微结构等，帮助科研人员了解材料的特性，开发出具有更好性能的新材料。

• 部分型号产品参数

• 测量速度：单点测量速度快至 0.3 秒，5 点含移动约 10 秒。

• 光谱范围：最宽可至 193nm-1690nm。

• 测量速度：最快可达 20ms。

• 光谱范围：标准型为 530nm 至 750nm，可见光谱型为 380nm 至 760nm。

• 测量速度：可在小于 1 秒的时间内测量 390 个以上波长。

• 光谱范围：M-2000 V 为 370nm 至 1000nm；M-2000 U/X 为 245nm 至 1000nm；M-2000 D 为 193nm 至 1000nm，NIR 扩展后可达 1010nm 至 1690nm。

• 入射角：计算机控制的入射角范围为 20° 至 90°（垂直）或 45° 至 90°（水平）。

• M-2000 系列

• UNE CS 系列

• COSE PV 6.1M